中国电源学会第二十三届学术年会
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专题讲座安排
 


讲座主题:
SiC功率器件的性能表征、封装测试与系统集成

讲座人:曾正 副教授,重庆大学电气工程学院

讲座摘要:

SiC功率器件具有优异的高压、高频和高温性能,是下一代电能变换技术的基础。SiC器件在拓展功率器件运行域的同时,在性能表征、封装测试和系统集成等方面,也面临前所未有的挑战。从器件、模块和系统三个层面,本讲座将深入剖析SiC器件应用现场和研究领域中的若干技术问题和科学问题。

在器件层面,针对SiC MOSFET和SiC SBD器件,将详细阐释SiC器件的基本结构、性能特点,以及电热性能表征方法等。

在封装层面,围绕封装工艺、失效机理、封装设计、多芯片并联等关键问题,详细阐释SiC功率模块的多物理场协同设计和封装工艺。

在测试层面,围绕SiC器件高速开关行为给精确稳定测量带来的挑战,详细阐释测量误差的量化模型,以及测量仪器对SiC器件暂态稳定的干扰。

在系统层面,以空冷SiC逆变器为例,围绕功率模块定义、无源元件配合和热设计,详细阐释高功率密度SiC变换器的设计方法和实现方法。

围绕SiC功率器件的新兴趋势和应用难题,针对工业现场和学术研究所面临的关键问题,本技术讲座将从器件-封装-系统的层面,全链条梳理SiC器件性能表征、封装测试和系统集成方法,为工业应用和学术研究提供有益的参考。

 

讲座人介绍:

曾正,2009年在武汉大学获得电气工程学士学位,2014年在浙江大学获得电气工程博士学位,2014年加入重庆大学电气工程学院,加入千人计划冉立教授研究团队,2017年聘任为副教授,2018年聘任为博士生导师,2018年–2019年在新加坡南洋理工大学从事博士后研究工作,合作导师:张欣教授。

近5年来,一直从事新型电力电子器件封装集成与应用研究,目前主持国家重点研发计划子课题2项、国家自然科学基金1项、重庆市自然科学基金1项,已主持完成横向和其他各类项目5项。至今已发表学术论文100余篇,其中IEEE/IET会刊20余篇,入选ESI高被引论文1篇,入选“中国精品科技期刊顶尖论文(F5000)”1篇,被引1300余次,H影响因子18,H10影响因子40,申请发明专利14项(已授权6项,已转让1项)。博士论文获评浙江大学2014年优秀博士学位论文(全校共8篇),曾获GE基金会科技创新奖、中国电源学会电力电子应用设计大赛全国一等奖等奖励多项。