| 纳微半导体 |
| 地址：上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路2290弄9号楼 电话：010-84554569 网站：https://navitassemi.com/zh/ |
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企业简介：
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过250项已经获颁或正在申请中的专利。截止至2023年8月，氮化镓功率芯片已发货超过1.25亿颗，碳化硅功率器件发货超1200万颗。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
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重点产品介绍：
纳微半导体作为全面专注下一代功率半导体的企业，拥有GaNFast™️氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件两条全面业务线。性能互补的两种产品为移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场带来高效、快速的功率转换。
GaNSafe™宽禁带平台基于升级后的第四代氮化镓技术打造。该平台通过增加额外的、特定的保护等其他功能，配合全新坚固的高功率封装，得以在极端高温、长时间工作条件下提供卓越的性能支持，可匹配从1,000到22,000W的应用，满足数据中心、太阳能/储能和电动汽车市场等要求苛刻的高功率应用场景需求。 GeneSiC™碳化硅MOSFETs采用了沟槽辅助平面栅极技术，平面和沟槽优势互补，可靠性和可制性兼具、该产品具备良好的高温特性，可以承受更大的电流。在相同电压等级下，GeneSiC可以为产品提供更低的开通关断损耗和更长的短路耐受时间。 GeneSiC™ MOSFETs可为从650V到6.5kV，适合从20W到20MW的应用场合，为多元市场（包括电动车、工业自动化、网通、电网、电动机和国防）提供高速、高效的功率转换。 |
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产品展示：
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论文初稿提交截止时间
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2024年6月30日 2024年7月22日
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工业报告征集截止时间
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2024年7月15日 2024年7月30日
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专题讲座征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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论文录用通知时间
( 2024年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2024年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2024年8月16日 )
大会时间
( 2024年11月8-11日 )
