| 深圳基本半导体有限公司 |
| 地址：广东省深圳市南山区高新园区高新南七道 国家工程实验室大楼B座11层 电话：+86-755-86713170 邮箱：inquiry@basicsemi.com 网站：www.basicsemi.com |
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企业简介： 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
基本半导体掌握碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，拥有知识产权两百余项，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级及工业级碳化硅功率模块、功率器件驱动芯片等，服务于光伏储能、电动汽车、轨道交通、工业控制、智能电网等领域的全球数百家客户。 基本半导体是国家级专精特新“小巨人”企业，承担了国家工信部、科技部及广东省、深圳市的数十项研发及产业化项目，与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件工程技术研究中心，荣获中国专利优秀奖、深圳市专利奖等荣誉。 |
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重点产品介绍： 第二代碳化硅MOSFET 基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在品质系数因子、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。 碳化硅二极管 自主研发各种电流电压等级的碳化硅肖特基二极管，具有反向漏电流低、正向导通压降低、抗浪涌电流能力高、无反向恢复现象等特点。 混合碳化硅分立器件 将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，即续流二极管用碳化硅SBD（肖特基二极管）替代硅基FRD，在部分应用中可替代传统的IGBT，使IGBT的开通与关断的潜力得以全部释放，开关损耗大幅降低。 汽车级全碳化硅功率模块 包括Pcore6汽车级HPD模块、Pcore2汽车级DCM模块、Pcore1汽车级TPAK模块、Pcore2汽车级ED3模块等，采用银烧结技术等基本半导体最新的碳化硅MOSFET设计生产工艺，通过提升动力系统逆变器的转换效率，进而提高新能源汽车的能源效率和续航里程。 工业级碳化硅功率模块 基于高性能6英寸晶圆平台设计，在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。 门极驱动芯片 包括隔离驱动芯片、自举桥式驱动芯片和低边驱动芯片，绝缘最大浪涌耐压可达8000V，驱动峰值电流高达正负15A，可支持耐压1700V以内功率器件的门极驱动需求。 门极驱动板 可为650V~6500V功率器件提供不同的解决方案，能适配包括EconoDual、PrimePack、62mm、IHM、压接模块在内的绝大多数模块。 |
产品展示：  |
论文初稿提交截止时间
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2024年6月30日 2024年7月22日
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工业报告征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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专题讲座征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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论文录用通知时间
( 2024年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2024年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2024年8月16日 )
大会时间
( 2024年11月8-11日 )
