第四届中国电力电子与能量转换大会暨展览会、中国电源学会第二十八届学术年会

新能源汽车电子器件论坛
活动时间：2025年11月9日 10:00-12:00
地点：20号馆论坛区1
主持人：张军明 浙江大学
　　　　孙耀杰 复旦大学

活动简介：
随着新能源汽车产业的快速发展，电子器件作为核心组成部分，与电源系统的关系也变得更加主动和智能，行业正迎来前所未有的发展机遇。为加速行业交流与合作,促进技术与市场的深度融合，大会特设置“新能源汽车电子器件论坛”，旨在为新能源汽车领域的电子器件、控制系统及相关技术提供一个交流分享的高端平台。
论坛邀请行业资深专家与知名企业代表，围绕功率半导体芯片技术的发展趋势和新形势下产业链的变化进行分享；研究如何提高电力电子器件可靠性及促进新型电力系统建设。同时邀请知名企业分享最新SiC芯片及封装技术进展、针对新能源汽车动力系统的发展及其对微控制器产品的新需求进行阐述、分析400V 与800V平台下SiC器件的定位及未来趋势，探讨如何通过技术突破与产业链合作，把握汽车电动化升级带来的市场机遇。

活动安排：
10:00-10:30
功率半导体芯片技术发展
张波教授 电子科技大学
10:30-11:00
大功率半导体器件封装失效机理与评估方法研究
王来利教授 西安交通大学
11:00-11:20
新能源汽车SiC功率器件解决方案
孙成汽车FAE主管 株洲中车时代半导体股份有限公司
11:20-11:40
新能源汽车动力系统的发展及其对微控制器产品的新需求
荆晓博动力与新能源系统业务单元技术总监 英飞凌科技（中国）有限公司
11:40-12:00
面向400V与800V高压平台之SiC MOSFET器件与模块开发
许志维技术长 湖南三安半导体有限责任公司

1报告主题： 功率半导体芯片技术发展
报告时间：10:00-10:30
报告人：张波    职称：教授
单位：西安交通大学

报告摘要：
功率半导体芯片是汽车电子器件的重要组成部分，报告从功率半导体技术发展与展望着手，从More Device和More than Device两个维度，More Silicon和Beyond Silicon两个领域，分析了功率半导体芯片技术的发展趋势和新形势下产业链的变化，给出了报告人自己的见解与展望。

报告人简介：

张波，电子科技大学集成电路研究中心主任，教授、博导。兼（曾）任国家01、02科技重大专项总体组专家，中国电源学会元器件专委会主任，四川电子学会半导体集成技术专委会主任等。长期从事功率半导体芯片技术研究，以第一完成人两次荣获国家科技进步二等奖（2010年度、2023年度），另获国家及省部级科技奖励18项，发表SCI论文800余篇，授权中美发明专利400余项，带领电子科技大学功率集成技术实验室已培养毕业1200余名研究生，为全球功率半导体领域最大的人才培养基地；产学研合作成效显著，与企业合作开发工艺与产品200余项，为合作企业新增直接经济效益达数百亿元人民币。

2报告主题： 大功率半导体器件封装失效机理与评估方法研究
报告时间：10:30-11:00
报告人：王来利   职称：教授
单位： 西安交通大学

报告摘要：
电力电子器件是以大量电力电子装备主导的新型电力系统基础支撑元件。电力电子器件可靠性直接决定着新型电力系统的安全与稳定运行。本报告通过电力电子、材料与人工智能交叉融合，研究了电力电力电子器件短时过热失效机理与长时老化失效机理及其多尺度建模方法，探索了电力电子器件状态关键特征参量的表征、检测方法与可靠性评估方法。研究内容对于提高电力电子装置健康管理能力，促进新型电力系统建设具有重要价值

报告人简介：

王来利，教授、博导，主要研究宽禁带半导体器件、封装集成与电力电子变换，国家杰出青年科学基金获得者，承担国家级项目10项，发表IEEE期刊与会议论文300余篇。

3报告主题： 新能源汽车SiC功率器件解决方案
报告时间：11:00-11:20
报告人： 孙成   职称： 汽车FAE主管
单位： 株洲中车时代半导体股份有限公司

报告摘要：
中车最新SiC芯片及封装技术进展，适配不同场景和封装体系的产品解决方案

内容大纲:

中车新能源汽车SiC技术进展
中车新能源汽车SiC产品解决方案

报告人简介：

主要研究方向大功率半导体测试及应用技术，在IGBT与SiC器件在新能源汽车应用场景经验丰富，服务国内外大众、丰田和上汽等几十家客户，开发适配不同工况应用场景的功率半导体解决方案。

4报告主题：新能源汽车动力系统的发展及其对微控制器产品的新需求
报告时间：11:20-11:40
报告人：荆晓博 职称：动力与新能源系统业务单元技术总监
单位：英飞凌科技（中国）有限公司

报告摘要：
随着新能源汽车在中国的快速发展，整车对动力系统的效率、功率密度、成本等提出了更高的要求。主驱逆变器、OBC等电力电子相关控制系统中出现了新的硬件拓扑，新的宽禁带半导体器件被使用，新的控制方式也相应出现，高集成化的多合一系统也逐步成为趋势。这些新需求、新变化对于控制器(MCU) 提出了更高的要求。演讲将对这些变化以及对于MCU的需求进行阐述，同时介绍英飞凌AURIXTM TC4系列产品如何助力这些新需求的实现，推动产业发展。

内容大纲:

英飞凌简介
新能源汽车市场及趋势介绍
主驱逆变器系统的发展及新需求
OBC/DCDC系统的发展及对MCU的新需求
英飞凌汽车相关微控制器产品简介及应用介绍

报告人简介：

荆晓博，毕业于同济大学控制理论与控制工程专业(2007年)。同年加入英飞凌科技（中国）有限公司，先后工作于英飞凌工业和汽车部门，现任汽车电子事业部动力与新能源业务单元技术总监，负责英飞凌汽车动力系统相关产品（微控制器、驱动、功率器件等）在传统动力、新能源主驱逆变器、OBC等应用的技术支持团队。

5报告主题：面向400V与800V高压平台之SiC MOSFET器件与模块开发
报告时间：11:40-12:00
报告人：许志维 职称： 技术长
单位：湖南三安半导体有限责任公司

报告摘要：
全球新能源汽车进入快速成长期，主驱逆变器正呈现400V与800V 双平台并行发展的格局。400V 平台凭借成熟供应链和成本优势，仍将在中低端市场保持规模，而800V 平台则成为高端品牌的技术制高点，推动超快充与高效能电驱系统的落地。SiC MOSFET 与模块作为支撑两大平台的核心技术，正驱动供应链重构：在400V 平台中，SiC 主要切入高效率需求场景，与Si IGBT形成差异化竞争；在800V 平台中，1200V 级SiC MOSFET 已成为标准配置，封装与模块创新决定企业竞争力。本文将分析400V 与800V 平台下 SiC 器件的定位及未来趋势，并探讨企业如何通过技术突破与产业链合作，把握汽车电动化升级带来的市场机遇。

内容大纲:

新能源汽車電壓平台格局
SiC MOSFET 在400V 平台的角色
SiC MOSFET 在800V 平台的核心地位
供應鏈與產業合作
未來趨勢與展望

报告人简介：

许志维，于2006年至2010年间自英国剑桥大学取得电机博士学位，其论文题目为先进IGBT技术。自1999年起，许博士投入各类功率半导体的研发与商业化工作，产品范围涵盖MOSFETs, Rectifiers, IGBTs, 以及Thyristors。许博士曾于台湾工业技术研究院，美商Vishay General Semiconductor，台湾敦南科技，英国Nexperia的研发部门担任主管职务，并于2001年赴日本京都大学隨松波弘之教授研修碳化硅磊晶与器件制造技术。许博士于2025年加入湖南三安半导体，主管产品开发部门。许博士曾于国际期刊与国际会议上发表十五篇技术论文，并获得二十余项专利。许博士并于2024年担任International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)之技术委员，负责论文评审与主持会议分项论坛。

重要日期

论文初稿提交截止时间

( ~~2025年6月30日~~ 2025年7月21日 )
工业报告征集截止时间

( ~~2025年7月15日~~ 2025年7月30日 )
专题讲座征集截止时间

( ~~2025年7月15日~~ 2025年7月30日 )
论文录用通知时间

( 2025年8月15日 )
论文终稿提交时间

( 2025年9月15日 )
报名系统开放时间

( 2025年8月16日 )
大会时间

( 2025年11月7-10日 )
展览时间

( 2025年11月8日-9日 )