| 龙腾半导体股份有限公司 |
| 地址：陕西省西安市经济技术开发区凤城十二路1号西安关中综合保税区A区 电话：（86）029-8665 8666 销售详情咨询转分机8101 网站：www.lonten.cc |
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企业简介： 龙腾半导体股份有限公司成立于2009年，是一家致力于新型功率半导体器件研发、生产、销售和服务的高新技术企业。公司自成立以来，便以推动高端功率器件国产化进程为己任，将技术创新视为企业发展第一动力，申请两百余项核心技术专利；制定超结MOSFET国家行业标准（标准号SJ/T 9014.8.2-2018），运营校企联合新型研发平台（交大-龙腾先进功率半导体技术研究院）。
公司建有一流的功率器件测试应用中心，专注提供高效、可靠、安全的功率器件产品及系统解决方案。 深耕行业十余载，公司已形成高压超结MOSFET、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、屏蔽栅沟槽型（SGT）MOSFET、低压沟槽MOSFET、高压平面MOSFET、SiC JBS/SiC MOSFET 6大产品体系，广泛应用于汽车类（充电桩、车载电源）、工业类（计算机及服务器电源、通信电源）、消费类（TV板卡电源、充电器、适配器、LED驱动电源）等领域。 |
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重点产品介绍： 龙腾半导体超结MOSFET功率器件：龙腾半导体股份有限公司基于终端客户需求，结合企业自身技术积累与自主研发，已经取得了一系列科技成果。例如龙腾超结MOSFET，针对不同应用场景对现有产品进行差异设计优化，开发出了通用、快恢复、高速开关、EMI等四大系列产品。
龙腾半导体IGBT：为满足新型电力电子器件国产化发展与日益增长的绿色高效能源应用需求，龙腾半导体股份有限公司开发出基于优化精细沟槽栅（MPT）结构和先进场截止（Field-Stop）技术的IGBT系列化产品，显著降低了系统应用能量损耗、提升了能源转换效率和功率密度。 龙腾半导体SiC MOSFET：龙腾半导体股份有限公司开发的平面栅碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SIC MOSFET)产品，采用领先的衬底减薄技术及优异的终端场限环结构，使得门极阈值电压、漏极电流和击穿电压等性能良好折衷，展现出通态电阻低、开关频率高及良好的抗浪涌电流能力。 |
产品展示：  |
论文初稿提交截止时间
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2024年6月30日 2024年7月22日
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工业报告征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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专题讲座征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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论文录用通知时间
( 2024年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2024年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2024年8月16日 )
大会时间
( 2024年11月8-11日 )
