| 天津工业大学—广州汉源微电子封装材料有限公司 |
| 地址：天津市西青区宾水西道399号 广州市黄埔区科学城南云二路58号 网站：www.solderwell.com.cn https://ee.tiangong.edu.cn/_s174/2021/1212/c7463a74068/page.psp |
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科研团队简介： 宽禁带半导体器件封装与可靠性研究团队共有教师8人，教授1人，副教授5人，讲师2人，具有丰富海外科研工作经验。团队成员曾获国家优秀青年科学基金，天津市杰出青年科学基金，天津市中青年科技创新领军人才、天津市131高层次人才等。团队一直从事电力电子器件高可靠封装设计、材料与制造科学研究。围绕“如何克服宽禁带器件器件封装失效，实现高可靠器件设计与制造”这一难题及其内在关键科学问题开展研究，目前初步建立了封装材料制备、表征、可靠性评定技术和器件封测科研平台。部分技术已与华为等二十余家企业合作应用，取得显著经济与社会效益。团队成果曾获IEEE CPMT Young Award、中国电源学会技术发明奖一等奖、中国电工技术学会技术发明奖一等奖、天津市技术发明奖一等奖、教育部霍英东教育基金高等院校青年科技奖、电工技术—正泰科技奖、IEEE APEC Best Presentation Award、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)“特别贡献奖”等。
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项目亮点概述： 宽禁带半导体器件封装与可靠性研究团队在IGBT和SiC功率器件的高密度封装方法、材料与可靠性方面取得了具有特色的学术成果。其中，所研发的低温烧结银焊膏及其大面积无压、低压封装连接技术，低感、双面散热封装设计方法与高可靠集成技术均受到广泛关注。团队已开发20多种高可靠封装功率模块，相关成果已在多家单位验证或工程应用。尤其值得关注的是，团队率先提出化学驱动力替代机械驱动力的创新思路，实现了180~250℃可无压、低压烧结连接的纳米金属浆料批量稳定制备、工艺应用与产业化，关键封装材料技术已与国内高端封装焊料头部企业（广州汉源新材料股份有限公司、广州汉源微电子封装材料有限公司）开展产业化合作，并牵头起草工信部相关行业标准。通过技术合作与转化，已推出有压烧结银膏与铜膏、无压烧结银膏和有压烧结银膜三个系列量产产品。产品连续印刷稳定性极佳，有压力烧结后平均剪切强度≥60MPa, 热导率＞280W/(m.K)，无压力烧结最低180℃可实现有效致密烧结封装连接，当前年产能达2吨，已在多家头部企业应用验证与销售，取得显著的经济和社会效益。 详细介绍： 梅云辉教授长期从事电力电子器件封装与可靠性研究，近年主持国家“优青”，天津市“杰青”，自科基金、XX预研项目、“XX行动”快速应用项目、航空基金等项目30余项，子课题负责人参与自科基金重点项目、863项目、重点研发计划项目、天津市重大专项等。担任中国电源学会理事、元器件专委会、企业工作委员会副主任等，IEEE Senior Member、IET和《电源学报》等多个期刊编委，天津市电源学会副理事长，华为能源、国网南瑞等多家企业特聘顾问等。发表学术论文150余篇，授权发明专利或国际PCT 30余件。通过与广州汉源微电子封装材料有限公司长期的产学研合作和成果转化落地，目前已有三款类型产品稳定生产与销售：有压烧结银膏、无压烧结银膏和有压烧结银膜。 （1）有压烧结银膏可以实现年产1000kg.使用时可连续印刷8h而保持印刷面不拉尖、不坍塌。5mmx5mm芯片250℃-15MPa-3min烧结，烧结后平均剪切强度≥60MPa,热导率＞280W/(m.k)。最低温能实现200℃完成烧结。 （2）无压烧结银膏可以实现年产500kg.使用时可连续点胶8h而保持不断胶，厚度可控。可最低200℃实现镀金底板与3mmx3mm镀金芯片界面烧结，烧结后平均剪切强度≥25MPa,热导率＞100W/(m.k)。 （3）有压烧结银膜可以实现年产500m2.使用时可150℃热转移到芯片上，5mmx5mm镀银芯片250℃-15MPa-3min烧结，烧结后平均剪切强度≥60MPa,热导率＞280W/(m.k)。最低温能实现180℃烧结。 |
项目资料： |
论文初稿提交截止时间
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2024年6月30日 2024年7月22日
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工业报告征集截止时间
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2024年7月15日 2024年7月30日
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专题讲座征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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论文录用通知时间
( 2024年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2024年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2024年8月16日 )
大会时间
( 2024年11月8-11日 )
