中国电源学会第二十三届学术年会
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专题讲座安排
 

 
讲座主题:
从硅往碳化硅器件过度中变流器设计的十个常见问题

讲座人:马国伟 应用与系统总监,英飞凌科技香港有限公司

              郝欣 博士 应用与系统方案拓展经理,英飞凌科技(中国)有限公司

讲座摘要:

随着碳化硅功率器件的逐渐成熟,其器件特性对变流器设计带来的好处也慢慢得到认可,特别是在提高效率及功率密度方面。于此同时,作为一种新的器件技术,碳化硅功率器件在应用时也同时带来不小的挑战。

透过一项对全球工程师的意见调查,我们总结了工程师在使用碳化硅功率器件时最关注的的十个问题,包括应用的匹配、门极驱动、体二极管应用、杂散电感、保护、热设计、高dv/dt的影响、长期可靠性、器件并联以及陈本等。

本讲座会就此十个工程师最关注的问题逐一解说,让工程师了解从硅器件往碳化硅器件于变流器设计过程中会遇到的难题及其解决方法,让碳化硅器件的特性在变流器中能得到充分的发挥。

讲座人介绍:

马国伟博士,英飞凌科技香港有限公司工业功率控制事业部,应用与系统总监。

马国伟在1988年及1995年毕业于香港理工大学,并分别获得电子工程学士及电力电子博士学位。马博士于2005年加入英飞凌科技,现任职于工业功率控制事业部应用与系统总监及首席专家。负责英飞凌大功率IGBT及SiC器件在亚太地区的新技术导入、应用开发及产品路线。马博士是IEEE及其电力电子分会的会员。在电力电子领域已发表三十多份论文及专利,也是IEEE应用电力电子会议(APEC)的论文评审委员。

 

郝欣博士,英飞凌科技(中国)有限公司 工业功率控制事业部,应用与系统方案拓展经理。

郝欣在2004年及2013年毕业于合肥工业大学,并分别获得电气工程学士及电力电子博士学位。郝博士于2015年加入英飞凌科技,现任职于工业功率控制事业部应用与系统方案拓展经理。负责英飞凌大功率IGBT及SiC器件在中国地区的新技术导入、应用开发及产品路线。