中国电源学会第二十三届学术年会
中国电源学会第二十三届学术年会
大会报告
 
罗海辉 教授级高级工程师
中国中车资深技术专家
株洲中车时代电气半导体事业部副总经理
报告题目:
IGBT可靠性设计及研究进展

 

报告摘要:本报告主要介绍功率IGBT芯片及模块的可靠性机理、设计方法及失效规律,讨论IGBT芯片栅氧层质量、SOA工作区设计余量、以及模块封装互连电路寄生参数对功率模块可靠性的影响,最后综述了针对不同应用领域的功率模块可靠性试验方法及标准。

 

报告人简介:罗海辉,中国中车资深技术专家,湖湘青年英才,教授级高级工程师,现任株洲中车时代电气半导体事业部副总经理兼IGBT器件制造中心主任,带领“IGBT技术研发与产业化科技创新团队”入选“国家重点领域创新团队”。主持的项目曾获省部级科技奖4项,通过省部级科技成果鉴定4项,申请发明专利78项,其中21项发明专利已授权,在国际会议、国内外核心期刊发表论文35篇,其中SCI、EI收录10余篇。曾荣获“中国专利优秀奖”、“铁道学会科学技术奖特等奖”、“电子学会科学技术奖一等奖”、“电子学会科学技术奖二等奖”等。

 

重要日期
  • 论文初稿提交截止时间

    ( 2019年6月30日 2019年7月15日 )

  • 论文录用通知时间

    ( 2019年8月15日 )

  • 专题讲座、工业报告征集截止时间

    ( 2019年6月30日 2019年7月10日 )

  • 终稿提交时间

    ( 2019年9月15日 )

  • 大会时间

    ( 2019年11月1日-4日 )