中国电源学会第二十三届学术年会
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参展商列表
 
苏州东微半导体有限公司
                                               地址:苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋405-406
                                               电话:0512-62534962
                                               网站:http://www.orientalsemi.com/
企业简介:
苏州东微半导体有限公司成立于2008年,注册资本4425.143万元,是一家技术驱动型的半导体技术公司,在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累,专注半导体器件技术创新,拥有多项半导体器件核心专利。2013年下半年,东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《science》杂志上发表,标志着首次国内科学家在半导体核心技术方向获得的重大突破。新闻联播、人民日报等媒体均进行了头条重点报道,引起了国内外业界的高度关注。2016年东微半导体自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产,打破国外厂商垄断。目前,苏州东微半导体有限公司已成为国内高性能功率半导体领域的领头羊,在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步,产品进入多个国际一线客户,收到客户一致好评。
 
重点产品介绍:
GreenMOS™系列产品耐压覆盖550-900V,满足各种电源系统应用。OSS Series:开关特性接近于GaN器件,采用新型DFN8*8、TOLL封装,独立的驱动源连接点提供更干净栅极驱动,减小寄生分布电感,解决开关过程中电磁干扰问题, 应用于快充、高频开关等高密度、高频率、小体积便携式电源系统;S Series:优化器件特性,解决普通SJMOSFET系统应用过程中电磁兼容性问题,应用于适配器、LED驱动电源等系统;Z Series:体二极管集成快速反向恢复特性,应用于拓扑结构为软开关的半桥、全桥系统,广泛应用通讯及服务器电源、新能源充电模块等。
SFGMOS™系列产品:耐压覆盖20-200V,导通电阻可达到1mΩ,应用于同步整流、锂电保护、电机驱动及家电等系统。
最新TGBT™系列产品:包含1350V和650V,极低Vcesat及高速开关特性,更快开关速度以提高工作频率、提高系统功率密度和效率;优秀的稳定性与均匀性;低饱和压降(BV1350&Vcesat1.6V BV 650&Vcesat1.35V )与低开关损耗的融合;高可靠性、温度特性稳定。应用工业控制及家电等系统。
 
产品展示:
     

 

重要日期
  • 论文初稿提交截止时间

    ( 2019年6月30日 2019年7月15日 )

  • 论文录用通知时间

    ( 2019年8月15日 )

  • 专题讲座、工业报告征集截止时间

    ( 2019年6月30日 2019年7月10日 )

  • 终稿提交时间

    ( 2019年9月15日 )

  • 大会时间

    ( 2019年11月1日-4日 )