中国电源学会第二十三届学术年会
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株洲中车时代电气股份有限公司
                                               地址:湖南省株洲市石峰区时代路169号
                                               邮编:412001
                                               电话:0731-28498268
                                               传真:0731-28498851
                                               网站:http://www.sbu.crrczic.cc
企业简介:
半导体事业部是株洲中车时代电气股份有限公司(香港上市,HK3898)下属的核心业务单位,专业从事大功率半导体器件的研发与制造,是我国最早开发大功率半导体器件的单位之一。现已成为我国唯一一家全面掌握了晶闸管、IGCT、IGBT及功率组件全套技术,能为用户提供全面系统的半导体解决方案的厂家。产品技术水平、产业化规模、市场影响力均处于国内领先地位,且有很强的国际影响。
2008年,成功并购全球知名的半导体器件独立供应商——加拿大丹尼克斯电力电子股份有限公司,2010年在英国设立功率半导体海外研发中心,形成公司大功率半导体器件产业化的国际化布局。基于先进的技术和完整的产业化平台,公司是世界第一家推出商用HVDC 6英寸晶闸管,全球第三家自主拥有IGCT器件,国内首个研发出高压IGBT/FRD芯片与模块的企业,拥有功率半导体芯片—模块—装置—系统完整产业链。当前,公司是新型功率半导体器件国家重点实验室、国家能源大功率电力电子器件研发中心的依托单位,中国IGBT技术创新与产业联盟理事长单位。
 
重点产品介绍:
1.新能源汽车IGBT器件
应用场合:满足新能源汽车等更高功率密度的应用需求;
性能特点:
• 第六代精细沟槽RTMOS-IGBT芯片,芯片密度进一步提升;
• 应用于汽车级750V IGBT模块;
• 高功率循环能力,极低的杂散电感,更高的开关速率,低热阻;
2.压接式IGBT器件
应用场合:电网及大功率变流器;
性能特点:
• 应用于电网级4500V IGBT模块 ;
• 超大的功率容量,无引线键合互连,双面散热;
• 低热阻,高功率循环能力 ;
3、高压 IGBT器件
应用场合:轨道牵引、电网、工业大功率变流器;
性能特点:
• 高压3300V、4500V、6500V IGBT模块 ;
• 内部低杂散电感;
• 高可靠性设计,高功率循环寿命及热循环寿命;
4. SiC器件
应用场合:轨道牵引、高功率变流器;
性能特点:
• SiC MOS芯片 & SiC SBD芯片;
• 低杂散电感封装;
• 低通态阻抗、低开关损耗、极低反向恢复电流;
 
产品展示:

 

 

重要日期
  • 论文初稿提交截止时间

    ( 2019年6月30日 2019年7月15日 )

  • 论文录用通知时间

    ( 2019年8月15日 )

  • 专题讲座、工业报告征集截止时间

    ( 2019年6月30日 2019年7月10日 )

  • 终稿提交时间

    ( 2019年9月15日 )

  • 大会时间

    ( 2019年11月1日-4日 )