| 深圳市华科智源科技有限公司 |
| 地址：深圳市宝安区鹤州恒丰工业城C4栋816 邮编：518000 电话：13008867918 邮箱：chensl@hustec.cn 网站：www.igbts.com.cn |
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企业简介： 深圳市华科智源科技有限公司，是一家专业从事功率半导体测试系统自主研发制造与综合测试分析服务的高新技术企业，坐落于改革开放之都-中国深圳，核心业务为半导体功率器件智能检测准备研制生产，公司产品主要涉及MOS管直流参数测试仪，MOS管动态参数测试仪，IGBT测试仪，IGBT动态参数测试系统，IGBT静态参数测试仪，功率循环，雪崩及浪涌测试设备，产品以高度集成化、智能化、高速、超宽测试范围等竞争优势，将广泛应用于IDM厂商、器件设计、制造、封装厂商及高校研究所等，客户行业涉及轨道交通，地铁，电驱动，新能源汽车，风力发电，变频器，家电等领域；华夏神州，科技兴国，智能创新，源远流长；华科智源公司核心团队由华中科技大学，复旦大学等国内高校研究所、行业应用专家等技术人才组建，致力于中国功率半导体事业，积极响应投身于半导体测试设备国产化。
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重点产品介绍： 功率器件静态参数测试仪 可测试5000V，1600A以下IGBT、Mosfet、二极管等功率器件，兼容Si基、SIC、GaN器件测试；包括耐压，漏电流，饱和压降，开启电压等参数，还可以测试器件BV特性曲线，输出曲线，转移曲线，以及曲线对比功能。可用于器件设计，器件研发选型，IQC检验以及可靠性前后电参数测试以及失效分析等领域。 1)测试电压范围：0-±5000V 2)测试电流范围：0-±1600A 3)测试栅极电压范围：0-±100V 4)电压分辨率：1mV 5)电流分辨率：0.1nA 浪涌电流测试仪 功率器件在工作时，有时要承受较大的冲击电流，为了检测器件承受浪涌电流的能力，可产生一个大的浪涌电流施加于被测器件上，从而检测被测器件是否能承受大浪涌电流的冲击。针对SiC器件，研制出10us浪涌电流测试仪，测试SiC器件在快速浪涌能力。 SI基 底部宽度：1ms~10ms可调，步进0.1ms，包括（8.3ms和10mS)，浪涌电流 1200A SIC 测试底宽：10us(上升时间1us以内)，浪涌电流3000A |
产品展示：   |
论文初稿提交截止时间
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2024年6月30日 2024年7月22日
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工业报告征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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专题讲座征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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论文录用通知时间
( 2024年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2024年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2024年8月16日 )
大会时间
( 2024年11月8-11日 )
