| 成都森未科技有限公司 |
| 地址：四川省成都市高新西区西源大道2808号 邮编：610000 电话：+86-28-62552035 网站：www.fusemi.cn/ |
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企业简介： 成都森未科技有限公司(以下简称“森未科技”)成立于2017年7月，被认定为国家高新技术企业、国家专精特新重点“小巨人”企业、四川省企业技术中心、成都市集成电路设计企业、成都市高新区瞪羚企业、成都市新经济双百企业，致力于先进IGBT芯片的国产化。
森未科技创始团队由清华大学和中国科学院的博士组成，长期专注于功率半导体器件研发，深耕IGBT芯片技术和产业化逾10年，累计取得相关技术专利50多项，成功开发不同电压等级和应用场景的芯片超过100款，是国内IGBT产品线覆盖最广的功率半导体公司之一。森未科技的芯片产品全面采用自主设计的沟槽栅+场截止技术，并已应用于工业变频、特种电源、感应加热、新能源发电以及新能源车等多个市场领域。 |
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重点产品介绍： IGBT晶圆：在正面设计上采用MPT技术，在背面工艺上采用Taiko减薄和H-IMP。正面设计搭配背面工艺，针对不同应用工况和应用场景，采用多维一体化设计，综合权衡导通损耗、开关损耗、短路能力、开关应力、可靠性等各项参数指标。从设计研发到生产加工，再到测试检验，每个环节严谨求精、注重品质，芯片技术不断地更新迭代，产品系列不断地丰富完善。 IGBT模块：我司可提供涵盖650V-1700V电压、10A-900A电流等级模块产品，兼容市场主流封装。通过采用先进的Trench-FS技术，根据不同行业应用特点，在导通压降和关断损耗之间做出最优权衡设计，为客户提供高效产品方案。特别是集中式储能电站，电能质量及工业控制领域，优化了Vcesat和开关损耗，增加了抵御特殊环境的能力，增加了可靠性，满足客户对效率和特殊环境工况的要求。 IGBT单管：我司可提供涵盖650V-1200V电压、40A-120A电流等级单管产品。通过采用MPT技术和Taiko减薄工艺，具有高电流密度和低开关损耗的特性，广泛应用于储能，光伏，OBC，充电桩等行业。 |
产品展示：  |
论文初稿提交截止时间
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2024年6月30日 2024年7月22日
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工业报告征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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专题讲座征集截止时间
(
2024年7月15日 2024年7月30日
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论文录用通知时间
( 2024年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2024年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2024年8月16日 )
大会时间
( 2024年11月8-11日 )
