国际宽禁带半导体器件与应用技术发展论坛
2024年11月8日 13:30-17:00
地点： 2层205-207
主持人：王来利 西安交通大学；王智强 华中科技大学；李辉 重庆大学
活动简介：
随着新能源发电、电动汽车、储能技术等重要科技领域的快速发展，电力系统对于电能变换装置的容量、效率以及可靠性提出了更高的要求。功率半导体器件作为电能变换装置的核心，极大决定了装置性能。而宽禁带半导体器件具备的高压、高频、高运行温度特性可以有效提高装置容量、减小设备体积、提高系统可靠性。
本活动聚焦宽禁带半导体器件与应用技术，旨在为宽禁带半导体器件与应用技术领域的科研人员、工程技术人员及相关企业搭建一个高水平的交流平台。通过邀请国内外知名专家学者发表主题报告和开展专题讨论，分享最新的研究成果与技术进展，促进学术界与产业界的深度合作。此外，论坛还将围绕宽禁带半导体器件的封装设计、系统集成及其特性优化等关键问题，探讨未来的发展方向与创新解决方案，从而推动宽禁带半导体器件的技术进步与产业发展。
13:30-13:35
会议开场致辞
刘进军 教授 中国电源学会理事长
13:35-14:00
SiC电力电子器件研究的探索
王俊 教授 湖南大学
14:00-14:25
垂直型GaN功率二极管与MOSFET研究
杨树 教授 中国科学技术大学
14:25-14:50
功率器件及变换器应用AI自动化设计
王佳宁 常务副主任/教授 合肥工业大学
14:50-15:10
茶歇
15:10-15:35
Multidimensional Power Devices in GaN and Ga2O3
Prof. Yuhao Zhang
The University of Hong Kong
15:35-16:00
基于硅上氮化镓的桥式电路单芯片集成技术
吕纲 教授 北京航空航天大学
16:00-17:00
圆桌论坛
李辉 重庆大学
宁圃奇 中科院电工所
梅云辉 天津工业大学
黄火林 大连理工大学
陈材 华中科技大学
