| 天津工业大学——浙江星柯光电科技有限公司 |
| 地址：天津市西青区宾水西道399号 浙江省绍兴市柯桥区钱清街道东沙头村光电显示基地 |
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科研团队简介： 天津工业大学宽禁带半导体器件封装与可靠性研究团队共有教师8人，教授1人，副教授5人，讲师2人，具有丰富海外科研工作经验。团队成员曾获国家优秀青年科学基金，天津市杰出青年科学基金，天津市中青年科技创新领军人才、天津市131高层次人才等。团队一直从事电力电子器件高可靠封装设计、材料与制造科学研究。围绕“如何克服宽禁带器件器件封装失效，实现高可靠器件设计与制造”这一难题及其内在关键科学问题开展研究，目前初步建立了封装材料制备、表征、可靠性评定技术和器件封测科研平台。部分技术已与华为等二十余家企业合作应用，取得显著经济与社会效益。团队成果曾获IEEE CPMT Young Award、中国电源学会技术发明奖一等奖、中国电工技术学会技术发明奖一等奖、天津市技术发明奖一等奖、教育部霍英东教育基金高等院校青年科技奖、电工技术—正泰科技奖、IEEE APEC Best Presentation Award、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)“特别贡献奖”等。
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项目亮点概述： 在功率半导体行业快速演进的今天，同质化竞争日益加剧，标准模块拼价格、卷产能，但我们始终坚持一条差异化的发展道路。2024年通过与天津工业大学团队合作，已与浙江星柯光电完成专利许可转化，投资建成高密度模组中试产品线。我们可根据客户需求，充分发挥IGBT和SIC MOSFET的性能，IGBT + SiC MOSFET混合封装也将是我们的一大亮点。我们通过对两种芯片特性的深入理解与系统级调校，实现在不同负载、不同工况下的最优效率与成本控制，不仅要提升电力电子系统的稳定性，更帮助客户优化产品性能，降低成本。 我们相信，功率模块的价值不应只体现在单价，更应体现在整体系统的性能提升与成本降低。这正是我们坚持“标准产品+定制设计”双轮驱动策略的原因。 未来，我们将继续与更多客户深度合作，为电动汽车、工业控制、光伏储能等应用场景，提供最契合实际需求的功率模块解决方案，让每一颗芯片、每一个封装都为客户创造更大价值。 |
项目资料：  .jpg) .jpg) .jpg) .jpg) .jpg) |
论文初稿提交截止时间
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2025年6月30日 2025年7月21日
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工业报告征集截止时间
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2025年7月15日 2025年7月30日
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专题讲座征集截止时间
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2025年7月15日 2025年7月30日
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论文录用通知时间
( 2025年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2025年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2025年8月16日 )
大会时间
( 2025年11月7-10日 )
展览时间
( 2025年11月8日-9日 )