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刘胜 教授
武汉大学 中国科学院院士 报告题目：宽禁带半导体材料和器件仿真与数字孪生 |
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报告摘要： 宽禁带半导体是支撑下一代高效能源转换、智能电网和先进雷达系统的战略核心材料，其研发水平直接关系到国家产业竞争力和安全自主可控。本报告旨在系统探讨如何通过融合物理模型、人工智能与高性能计算的多物理场、跨尺度建模仿真技术，构建一个贯穿“材料-器件-电路-系统”全链条的数字孪生体。本报告的内容覆盖了课题组近期在宽禁带半导体碳化硅晶体和氧化镓晶体的生长工艺仿真与验证、半导体薄膜装备开发中的仿真应用、自主知识产权的功率半导体器件开发实践、国产自主软件研发等具体进展。其核心目标是实现对半导体器件从制备、服役到失效的全生命周期的精准洞见与可靠性调控，从根本上变革传统的“试错”式研发模式，显著缩短研发周期，提升产品性能与良率，为我国在这一关键领域实现从理论创新到产业应用的跨越式发展提供核心驱动力。 报告人简介： 刘胜，武汉大学教授，武汉大学集成电路学院院长、工业科学研究院执行院长。斯坦福大学博士，ASME Fellow和IEEE Fellow，微纳制造领域专家，国内芯片封装技术的引领者，刘胜教授在微纳制造科学与工程技术方面（涉及集成电路、发光二极管LED、微传感器及电力电子IGBT 等芯片封装）取得了系统的创新成果。以第一完成人获2020年国家科学技术进步一等奖、2016年国家技术发明二等奖、2015年教育部技术发明一等奖、2018年电子学会技术发明一等奖、2009年IEEE国际电子封装学会杰出技术成就奖（全球每年1人，国内首人）、2009年中国电子学会特别成就奖、1997年国际微电子及封装学会（IMAPS）技术贡献奖、1995年美国总统教授奖（当年30人），1999年入选首批国家杰青（海外）项目（当年仅7人）。发表SCI 论文550余篇，出版专著6部（英文4部），授权发明专利230余件。
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论文初稿提交截止时间
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2025年6月30日 2025年7月21日
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工业报告征集截止时间
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2025年7月15日 2025年7月30日
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专题讲座征集截止时间
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2025年7月15日 2025年7月30日
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论文录用通知时间
( 2025年8月15日 )
论文终稿提交时间
( 2025年9月15日 )
报名系统开放时间
( 2025年8月16日 )
大会时间
( 2025年11月7-10日 )
展览时间
( 2025年11月8日-9日 )