第五届中国电力电子与能量转换大会暨展览会、中国电源学会第二十九届学术年会

讲座主题：宽禁带功率器件多物理场耦合机理、可靠性评估与状态感知技术
讲座人：梅云辉，教授，天津工业大学
讲座摘要：
宽禁带功率器件（SiC/GaN）高可靠应用的核心在于解决极端高热通量与高频高压工况下的电-热-力多物理场强耦合与跨尺度退化难题。本讲座针对宽禁带功率模块从底层物理设计到系统级智能运维的全生命周期可靠性理论展开系统论述。讲座首先剖析极端工况下的多场耦合边界条件，聚焦突破空间散热极限的先进封装架构，探讨油浸式流固混合传热机理与双面直冷流热拓扑寻优方法。随后针对界面热应力失配痛点，论述大面积纳米银烧结的微观致密化动力学，并提出热残余应力的非线性补偿机制。在服役退化演变层面，讲座进一步阐述基于数字图像相关法的复杂互连材料真实本构参数非接触逆向提取理论。提出涵盖制造工艺与服役载荷时序特征的跨尺度损伤演化模型，并结合纳米级微观断裂力学表征手段，建立高精度的疲劳寿命评估框架。在系统状态感知层面，论述强电磁干扰环境下的特征参量非侵入式提取路线，推导基于高频暂态特征驱动的芯片结温动态追踪算法，并建立针对换流阀电容器等核心部件的频域阻抗谱在线解析与微弱退化特征辨识理论。
作者简介：
梅云辉，2002年至2010年在天津大学获学士、硕士及博士学位，期间赴弗吉尼亚理工大学进行联合培养。2011年起历任天津大学讲师、副教授，2015年赴香港科技大学任访问学者。2020年调入天津工业大学。研究方向包括高密度电子封装工艺、功率器件集成技术，主持国家自然科学基金优青项目、重点项目及华为纳米银烧结技术合作项目。发表SCI论文40余篇，涉及低温烧结银技术、功率电子封装可靠性等领域，获授权发明专利6项。担任IEEE会员、中国电源学会器件分委会委员

重要日期

论文初稿提交截止时间

( ~~2026年6月30日~~ 2026年7月20日 )
工业报告征集截止时间

( ~~2026年7月15日~~ 2026年7月30日 )
专题讲座征集截止时间

( ~~2026年7月15日~~ 2026年7月30日 )
论文录用通知时间

( 2026年8月15日 )
论文终稿提交时间

( 2026年9月15日 )
报名系统开放时间

( 2026年8月16日 )
大会时间

( 2026年11月5-8日 )
展览时间

( 2026年11月6日-7日 )